從硅光晶圓到硅光芯片還需經歷減薄、劃片等工序流程。對晶圓背面進行研磨使晶圓減薄到一定的厚度具有提高芯片的散熱效率、減小芯片封裝體積、減少背面應力等優點。海光芯創目前開發了晶圓減薄工藝,減薄的精度能達到±5μm。晶圓減薄后的下一道工序是晶圓切割,即劃片。劃片的精度決定了芯片中光耦合端口和電焊盤距離芯片邊緣的距離,從而影響芯片的耦合插損、打線高頻帶寬等性能。為了盡可能地不降低芯片封裝后的性能,海光芯創采用了激光隱形切割技術——通過將激光聚焦在硅片內部形成改質層,然后通過擴膜裂片的方式分離芯片。其具有無污染、無材料損耗、高加工效率、高加工精度(<3μm)等特點。除此之外,為了提高芯片耦封后的性能,滿足更高傳輸速率的需求,海光芯片還開發了芯片flip-chip和硅V槽刻蝕等工藝技術。